1. Material: nitruro de aluminio.
2. Función: cerámica de aislamiento y disipación de calor.
3.Tipo:Cerámica.
4.Color: gris.
5. Se puede personalizar: sí, proporcione dibujos para productos específicos.
Sustrato cerámico de nitruro de aluminio de 12 pulgadas GaN-on-QST
Descripción del Producto:
Qromis Company de los Estados Unidos proporciona GaN-on-QST, que puede usarse como sustrato de silicio o como cristal semilla. En 2017, colaboraron con Kyma Technologies para producir el primer sustrato de GaN independiente (4 pulgadas) basado en la tecnología de sustrato QST. En enero de 2020, Qromis recibió una inversión de Toyota Motor Corporation. Qromis ha otorgado la licencia de esta tecnología a dos empresas, incluidas World Advanced y Shin-Etsu Chemical, las cuales están acelerando el ritmo de la epitaxia y la producción de fundición de dispositivos este año.
El sustrato de GaN autosoportado de Qromis tiene tres ventajas principales, por lo que es muy optimista: ● La tasa de rendimiento de los dispositivos de GaN puede alcanzar el 90 %. ● Se lanzaron sustratos de 6 y 8 pulgadas y se planea producir sustratos GaN de 12 pulgadas en 2025.
Los sustratos de nitruro de aluminio (AlN) de 6 y 8 pulgadas son el producto regular de Fujian Huaqing, y ahora podemos suministrar sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN) de 12 pulgadas que se puede usar como sustrato subyacente para el producto GaN-on-QST.
Nuestros sustratos de nitruro de aluminio (AlN) están disponibles en varios tamaños y espesores. Gracias a un inventario grande y en vivo, podemos enviar su parte rápidamente para que comience su proyecto.
Nuestro servicio:
Póngase en contacto con nosotros para la personalización. También podemos suministrar cerámica de nitruro de aluminio (AlN) con conductividad térmica de hasta 230 W/mK
Especificación:
Dimensión (LxA) | φ12 pulgadas |
Espesor | 1,0 mm |
Conductividad térmica | 170W/mK |
Constante dieléctrica | 8-9 (MHz) |
Densidad a Granel | 3,3 g/cm³ |
Rugosidad de la superficie | Ra: 0,03-0,6 μm en ambos lados |
Ventaja de la empresa:
Huaqing fundada en 2004, con una inversión total de 80 millones de RMB, capital registrado de 40 millones de RMB. Los productos cerámicos AlN y Al2O3 de Huaqing tienen alta conductividad térmica, baja constante dieléctrica, buen factor de disipación y excelente propiedad mecánica en comparación con otras fábricas de la industria. La cerámica AlN y Al2O3 se usa ampliamente en HBLED, optocomunicación, IGBT, dispositivos de potencia, TEC y otras aplicaciones de alta gama.
Taller y equipo:
Empaquetado y entrega:
Entregar por UPS, DHL, Fedex, etc.
Por qué necesita nuestros servicios, sabe que está obteniendo profesionales altamente calificados que tienen la experiencia y los conocimientos para asegurarse de que su proyecto se realice correctamente y funcione.
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